【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工廠力積電(6770)今（21）日召開線上法說，總經理朱憲國表示，受惠記憶體代工價格持續反映、邏輯代工價調漲，以及3D AI代工產線遷回新竹廠區後陸續復線，預期2026年第四季營收仍可望季增達雙位數百分比。

　展望2027年，朱憲國表示，力積電計畫將成熟製程邏輯代工價格再調漲10～20％，目前正積極與客戶協商，並透過簽署長期供貨協議（LTA）鎖定價量需求，對明年全年營收及獲利表現抱持樂觀看法。

　朱憲國指出，AI推論需求取代訓練，成為消耗算力的無底洞，主要記憶體大廠積極將產能轉向高頻寬記憶體（HBM），並逐步退出部分利基型DRAM市場，帶動相關產品需求及代工價格維持高檔，力積電的利基型DRAM晶圓代工價格目前未見下修情況。

　儘管近期DDR3受舊型電腦汰換、拆機回收記憶體供給增加影響，現貨價格略顯疲軟，但朱憲國認為應屬短期現象。而力積電與美光合作的DRAM 1P製程進展順利，初版製程設計套件（PDK）預計2026年底完成，新設備預計2027年第一季到位、第二季進入試產。

　NAND Flash方面，由於主要大廠逐步退出MLC NAND供應，市場供給趨緊，對大容量SLC需求可望擴大，力積電已推進24奈米SLC NAND代工平台，並與客戶合作開發MLC NAND新產品，預計今年底推出，而NOR Flash代工業務亦可望受惠於AI伺服器需求成長。

　邏輯代工方面，朱憲國表示成熟製程供需持續吃緊，第三季8吋及12吋投片價格季增10～15％，主要適用於未簽訂年度合約的客戶，整體平均售價調升約8～10％。其中，電源管理IC（PMIC）受惠AI伺服器、工規及車用需求，產能供應相當緊張。

　朱憲國指出，力積電的PMIC代工已由1.15微米推進至55奈米BCD製程，相關產品已應用於AI伺服器並開始量產，客戶甚至要求簽訂3年長約以確保供貨穩定。手機PMIC方面，由於產能排擠效應持續、庫存水位估逐步恢復健康水位，部分手機大廠明年需求仍相當積極。

　MOSFET及IGBT方面，朱憲國透露，2027年近8成相關產能已與客戶簽訂長約。氮化鎵（GaN）部分產品線已開始小量投產，但尚未明顯貢獻營收。至於車用觸控面板驅動IC供需仍然吃緊，交期延長情況尚未改善，市場需求仍相當強勁。

　3D AI代工方面，朱憲國表示，整合式被動元件（IPD）逐漸成為AI及高效運算（HPC）晶片的重要零組件，需求能見度已延伸至2028年，目前8吋及12吋產品均已進入量產並持續擴產。中介層（Interposer）產線移往新竹廠後已復線，預計年底恢復滿載投片水位。

　晶圓堆疊（WoW）方面，朱憲國指出技術轉向混合鍵合（Hybrid Bonding），力積電已累積相當技術經驗，合作策略客戶也已切入國際大廠相關新產品應用。產線自銅鑼廠移至新竹廠後，目前已重新復線並進行小量投片試產，預計2027年上半年正式量產。

　與美光合作的後段晶圓製造（PWF）方面，力積電預計年底完成試產線設置，2027年第四季進入量產，可望自2028年起挹注營收。公司預期，隨著中介層及晶圓堆疊產線復線、IPD逐步放量，3D AI代工業務自第四季起將逐步恢復營收動能，2027年可望逐季成長。

　鑒於現有廠區無塵室空間已接近飽和，朱憲國透露，力積電正評估在台灣、新加坡及日本等地設置新廠的可能性，新廠將聚焦3D AI代工，並與策略客戶評估共同投資可行性，希望在2028年後掌握AI晶片與先進封裝市場的成長機會。