《大陸產業》陸NAND一哥大逆襲 驚傳今年量產!

【時報-台北電】全球記憶體市場爆發缺貨潮,大陸NAND快閃記憶體大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能,原定於2027年量產的武漢新廠已大幅提前,最快將在今(2026)年下半年正式投產。此舉是否對台廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力,後續發展備受市場關注。
朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報導,長江存儲武漢三廠於2025年9月動工,原先預估須待2027年才具備正式量產條件。然而,當地半導體業界人士透露,長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產設備採購訂單,並同步進行工廠啟動與產線建置作業,量產時程有望提前至2026年下半年。
消息人士指出,從破土動工到啟動量產僅約一年時間,在半導體產業中相當罕見,顯示長江存儲採取「邊建廠、邊導入設備」的加速策略,在廠房尚未完全完工前,即先行進行產線調校與初期運作。
長江存儲加速擴產,正值NAND Flash市場迎來「超級循環週期」。不同於DRAM領域,NAND快閃記憶體供應商眾多,包括三星、SK海力士、美光、日本鎧俠(Kioxia)以及長江存儲本身。儘管AI浪潮帶動了龐大的需求,但競爭者林立,也讓價格戰風險升溫,迫使業者必須以速度換取市場空間。
在技術面上,長江存儲的進展同樣受到關注。近期分析指出,該公司已掌握270層3D NAND技術,正快速縮小與三星286層及SK海力士321層之間的差距,且在長期投資與延攬外部專家的加持下,生產良率與穩定性已接近一線大廠水準。即便仍遭美國商務部列入制裁名單、先進設備進口受限,長江存儲仍於去年9月啟動武漢三期建設,展現持續擴張NAND市占的企圖心。
大陸業界人士指出,隨著三星子與SK海力士將發展重心轉移至DRAM與高頻寬記憶體(HBM),長江存儲把握2026年這個「黃金時刻」,積極擴張NAND快閃記憶體的布局。在技術突破及政府強力支援下,預期未來一至兩年,長江存儲在全球NAND市場的影響力將明顯提升。(新聞來源:中時新聞網 吳美觀)
