（１）現象：韓媒報導三星電子正評估在第七代高頻寬記憶體HBM4E的基底晶片（Base Die）導入2奈米製程。HBM4E預計於2026年中推出標準版，下半年則可能推出客製化版本。三星目前在HBM4世代已採用自家4奈米邏輯製程製作基底晶片，搭配1c(第六代10nm)等級DRAM製程，而競爭對手SK海力士則採用台積電(2330)12奈米製程打造邏輯基底晶片。若三星進一步推進至2奈米節點，市場預期其在功耗效率、散熱能力與晶片面積利用率等指標上將取得優勢。

（２）原因：HBM技術架構正從單純的記憶體堆疊，逐漸演進為具備部分運算與控制能力的「記憶體模組系統」。在HBM3以前，基底晶片主要負責電源供應與訊號傳輸，但到了HBM4世代，基底晶片的重要性顯著提升，需要承擔更複雜的控制與運算任務，使其製程技術與邏輯能力成為競爭關鍵。此外，AI訓練與推論對頻寬與能效的要求急速上升，促使記憶體廠商透過先進製程與封裝設計來提升效能。三星選擇自行生產基底晶片，不僅有助於整合DRAM與邏輯製程，也能提高晶圓代工產能利用率。

（３）影響：HBM4E被視為下一階段AI記憶體競爭的重要戰場。若三星成功在基底晶片導入2奈米製程，將使記憶體與邏輯晶片的整合程度進一步提升，並可能帶動整體HBM架構向「運算記憶體」方向發展。此舉也意味著AI晶片產業競爭焦點，正從單純GPU算力，逐漸延伸至記憶體頻寬、封裝技術與邏輯基底晶片設計。對全球半導體供應鏈而言，先進製程、先進封裝與HBM記憶體將形成高度耦合的產業結構。

（４）受影響股票：台積電(2330)

力成(6239)

南亞科(2408)

華邦電(2344)