【時報-台北電】HBM排擠一般DRAM產能，在供給受限、AI伺服器又同步擴大DDR5需求下，一般型DRAM反而成為這波記憶體超級循環中，最大的獲利受益者。

　根據瑞銀的研究顯示，美光一般型DRAM毛利率，自2025年的約44％至50％快速攀升，2026年2月已達80％，5月進一步升至89％，8月達91％，2026年底約92％；進入2027年，升至93％至95％，並於2028年大部分時間維持93％以上。

　相較之下，美光HBM毛利率2025年約56％至63％，2026年約63％至70％，2027年進一步提高至75％～78％，反而不如一般型DRAM。

　背後關鍵在於HBM的「產能排擠效應」。HBM需要更多DRAM裸晶及更複雜製程，同樣晶圓投入下，可供應的一般DRAM容量因而減少。記憶體三大廠又持續將先進製程資源向HBM傾斜，使傳統DRAM新增供給受到壓抑。

　需求端則同步升溫。AI伺服器除了GPU大量搭載HBM，CPU端亦需要更高容量DDR5，推升伺服器DRAM需求，形成HBM與一般DRAM同時搶占有限DRAM產能的局面。

　美光HBM業務本身仍處高速擴張期。瑞銀預估，美光單季HBM出貨量，將由2025年初約0.1EB，逐步增加至2026年底約0.29EB，2027年11月再提高至0.43EB。

　同期全球HBM出貨規模約2.1EB。美光HBM市占率2026年底約22％至23％，2027年一度降至18％，年底回升至約21％；一般DRAM市占則大致維持23％至24％。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)