【時報-台北電】韓媒報導指出，三星電子位於德州泰勒市的第二家晶圓代工廠預計將於本月開工，生產高頻寬記憶體（HBM）所需的基礎晶片，目前產能已經全被訂下，其中大部分訂單來自AMD，輝達也是客戶之一。

　韓國財經媒體《每日經濟新聞》指出，該廠將採用先進的2奈米製程技術，預計2029年2月起陸續進行設備裝設，並於2030年開始量產。其中德州二廠占地約270萬平方英尺，規模約為三星德州一廠的1.5倍，目前一廠已與特斯拉簽訂代工合約，主要替該公司生產下一代AI晶片。

　HBM的基礎晶片品質，在決定HBM效能方面扮演關鍵角色。在HBM3及HBM3E世代，基礎晶片主要負責管理底層DRAM晶片，並與GPU交換資料及訊號，但到了HBM4世代，AI晶片業者也開始要求將特定邏輯及運算功能整合進去。

　三星希望德州二廠將成為另一個成長跳板，從記憶體製造商轉型為提供全面解決方案的半導體企業，長期目標不再侷限於製造HBM，而是進一步打造「整合式解決方案」，從代工到提供封裝服務，一手包辦。

　等該廠完工之後，三星將在美國生產HBM所需的基礎晶片，再與韓國製造的DRAM晶片結合，組裝成完整的HBM記憶體產品，接著再與AMD、博通等業者設計，台積電美國廠代工的AI晶片一同封裝，製成AI晶片供AI運算使用。

　不過，三星德州二廠能否藉此建立競爭優勢，仍存��變數。輝達正推動的新型HBM架構NVHBM，這項架構可能改由輝達等GPU設計公司主導設計，再交由台積電製造，記憶體廠商則主要負責生產DRAM核心晶粒。

　若這種分工成為主流，三星原本兼具記憶體製造與晶圓代工能力的優勢恐將受到削弱，甚至可能失去對HBM關鍵技術的主導權。(新聞來源 : 工商時報一吳承勳／綜合外電報導)