【時報編譯柯婉琇綜合外電報導】美光（Micron Technology）第二財季（截至2月26日）營收獲利表現和第三財季展望遠遠超乎華爾街預期，公司高層在發布財報告強調「美光將成為AI領域最大贏家之一」，但也預告將持續大舉提高資本支出，以滿足AI狂潮引爆的記憶體需求。

　受惠於對AI基建和輝達AI晶片的狂熱引爆記憶體需求，美光上季營收數字和本季營收預測都是3倍跳，均較前一年同期成長約200%。

　美光執行長Sanjay Mehrotra表示，我們業績和前景的提升受益於AI推動記憶體需求成長、結構性供應緊缺，以及美光各方面出色的執行力。

　Mehrotra表示，AI伺服器和傳統伺服器都正面臨「DRAM和NAND快閃記憶體供應不足」。

　美光表示，隨著AI發展，我們預期運算架構將變得更為「記憶體密集性」（memory-intensive）。因此，我們堅信美光將成為AI領域最大的受益者和推動者之一」。

　Mehrotra在法說會上表示，提供給輝達Vera Rubin GPU的HBM4已於第一財季開始投入量產，下一代產品HBM4e將於2027年量產。

　輝達已宣布將在2028年推出的下一代Feynman GPU中採用客製化HBM。

　為了趕上不斷升高的記憶體需求，美光上修2026財年資本支出至超過250億美元，並預告2027財年將進一步擴大。

　Mehrotra表示，資本支出將在2027財年「大幅增加」，與建廠相關的成本將增加超過100億美元。

　美光科技正在愛達荷州和紐約州建造兩座巨型的新廠區，以提高其在美國本地的記憶體製造能力。

　Mehrotra表示，愛達荷州的工廠預計將於2027年中開始投產。

　美光科技位於紐約州、投資總額高達1,000億美元的巨型新廠區已在今年1月動工，預計將於2028年下半年開始生產晶圓。

　業務長Sumit Sadana表示，建廠確實推動我們整體資本支出大幅增長。美光以18億美元收購台灣力積電的一座晶圓廠，也推升了2026年的支出。

　該台灣廠將有助於提高DRAM晶圓產量，預計將自2027年下半年投產。美光並計劃在該廠址建造第二座廠。

　Creative Strategies執行長Ben Bajarin表示，提高資本支出展望「是合理的」，因為需求狀況以及美光需要繼續投資以滿足產能需求，而這種情況短期內沒有任何緩解跡象。

　Gabelli Funds的投資組合經理Hendi Susanto表示，從財報發布前的股價走勢來看，我認為最大的風險是投資人過高的期待。然而，美光第三財季的財測非常強勁，遠超出分析師和我自己的預期。